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PJSEMI PJM10H01PSA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PJM10H01PSA |
| Référence EBEE | E82838029 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 100V 1A 650mΩ@10V,1A 500mW 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0680 | $ 1.3600 |
| 200+ | $0.0541 | $ 10.8200 |
| 600+ | $0.0472 | $ 28.3200 |
| 3000+ | $0.0387 | $ 116.1000 |
| 9000+ | $0.0345 | $ 310.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PJSEMI PJM10H01PSA | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 650mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 4nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0541 | $ 10.8200 |
| 600+ | $0.0472 | $ 28.3200 |
| 3000+ | $0.0387 | $ 116.1000 |
| 9000+ | $0.0345 | $ 310.5000 |
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