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PIP PTW69N30
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PTW69N30 |
| Référence EBEE | E8575802 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 300V 69A 35mΩ@10V,35A 520W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PIP PTW69N30 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 300V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 69A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@10V,35A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 520W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 150nC@150V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
