| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PTW30N50EL |
| Référence EBEE | E8575817 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 500V 30A 150mΩ@10V,15A 333W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7822 | $ 1.7822 |
| 10+ | $1.5603 | $ 15.6030 |
| 30+ | $1.4200 | $ 42.6000 |
| 100+ | $1.2780 | $ 127.8000 |
| 500+ | $1.2123 | $ 606.1500 |
| 1000+ | $1.1839 | $ 1183.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PIP PTW30N50EL | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 30A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 150mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 333W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 82pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7822 | $ 1.7822 |
| 10+ | $1.5603 | $ 15.6030 |
| 30+ | $1.4200 | $ 42.6000 |
| 100+ | $1.2780 | $ 127.8000 |
| 500+ | $1.2123 | $ 606.1500 |
| 1000+ | $1.1839 | $ 1183.9000 |
