| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PTW28N50 |
| Référence EBEE | E8575816 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 500V 28A 170mΩ@10V,14A 300W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4999 | $ 1.4999 |
| 10+ | $1.2870 | $ 12.8700 |
| 30+ | $1.1698 | $ 35.0940 |
| 100+ | $1.0366 | $ 103.6600 |
| 500+ | $0.9781 | $ 489.0500 |
| 1000+ | $0.9515 | $ 951.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PIP PTW28N50 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 28A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 170mΩ@10V,14A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.19nF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.28nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4999 | $ 1.4999 |
| 10+ | $1.2870 | $ 12.8700 |
| 30+ | $1.1698 | $ 35.0940 |
| 100+ | $1.0366 | $ 103.6600 |
| 500+ | $0.9781 | $ 489.0500 |
| 1000+ | $0.9515 | $ 951.5000 |
