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PIP PTA26N60


Fabricant
Référence Fabricant
PTA26N60
Référence EBEE
E8575820
Boîtier
TO-220F-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
600V 26A 250mΩ@10V,13A 88W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniquePIP PTA26N60
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)600V
Courant de drainage continu (Id)26A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)250mΩ@10V,13A
Dissipation de puissance (Pd)88W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)0.19nF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)4.28nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)-

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