Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
PIP PTA10N80
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PTA10N80 |
| Référence EBEE | E8343859 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 10A 55W 1Ω@10V,4A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>1 En stock pour livraison rapide
1 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PIP PTA10N80 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1Ω@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 55W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.9nF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
Guide d’achat
Développer
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5166 | $ 0.5166 |
| 10+ | $0.5058 | $ 5.0580 |
| 30+ | $0.4967 | $ 14.9010 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
