| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PSP13N50 |
| Référence EBEE | E8575812 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 500V 13A 480mΩ@10V,6.5A 195W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3764 | $ 0.3764 |
| 10+ | $0.3693 | $ 3.6930 |
| 30+ | $0.3640 | $ 10.9200 |
| 100+ | $0.3586 | $ 35.8600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PIP PSP13N50 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 13A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 480mΩ@10V,6.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 195W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 23pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3764 | $ 0.3764 |
| 10+ | $0.3693 | $ 3.6930 |
| 30+ | $0.3640 | $ 10.9200 |
| 100+ | $0.3586 | $ 35.8600 |
