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PAKER SI2306
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2306 |
| Référence EBEE | E85278889 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 4A 1W 60mΩ@4.5V,3A 2.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0428 | $ 0.4280 |
| 100+ | $0.0338 | $ 3.3800 |
| 300+ | $0.0294 | $ 8.8200 |
| 3000+ | $0.0259 | $ 77.7000 |
| 6000+ | $0.0233 | $ 139.8000 |
| 9000+ | $0.0219 | $ 197.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PAKER SI2306 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 60mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 275pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.6nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0428 | $ 0.4280 |
| 100+ | $0.0338 | $ 3.3800 |
| 300+ | $0.0294 | $ 8.8200 |
| 3000+ | $0.0259 | $ 77.7000 |
| 6000+ | $0.0233 | $ 139.8000 |
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