| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SMMBFJ175LT1G |
| Référence EBEE | E8894335 |
| Boîtier | SOT-23-3(TO-236-3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | P-channel 225mW 7mA@15V 125Ω 30V SOT-23-3(TO-236-3) JFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,JFETs | |
| Fiche Technique | onsemi SMMBFJ175LT1G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 11pF@10V | |
| Dissipation totale du dispositif (Pd) | 225mW | |
| Courant d'égouts (Idss-Vds,Vgs-0) | 7mA@15V | |
| FET Type | P-channel | |
| Source de la vidange statique sur la résistance (RDS(on)) | 125Ω | |
| Source de la tension de décomposition (V(BR)GSS) | 30V | |
| Source de la tension de coupure (VGS(off)-ID) | 3V@10nA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
