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onsemi MMBFJ112
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBFJ112 |
| Référence EBEE | E8258195 |
| Boîtier | SOT-23-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350mW 5mA@15V N-channel 50Ω 35V SOT-23-3L JFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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6585 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1437 | $ 0.7185 |
| 50+ | $0.1179 | $ 5.8950 |
| 150+ | $0.1050 | $ 15.7500 |
| 500+ | $0.0953 | $ 47.6500 |
| 3000+ | $0.0736 | $ 220.8000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,JFETs | |
| Fiche Technique | onsemi MMBFJ112 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| RDS(on) | 50Ω | |
| FET Type | - | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Drain Current (Idss) | 5mA@15V | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 1V@1uA |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.1179 | $ 5.8950 |
| 150+ | $0.1050 | $ 15.7500 |
| 500+ | $0.0953 | $ 47.6500 |
| 3000+ | $0.0736 | $ 220.8000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
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