| Fabricant | |
| Référence Fabricant | J175-D26Z |
| Référence EBEE | E8900948 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350mW 7mA@15V P-channel 125Ω 30V TO-92-3 JFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3398 | $ 1.6990 |
| 50+ | $0.2719 | $ 13.5950 |
| 150+ | $0.2427 | $ 36.4050 |
| 500+ | $0.2063 | $ 103.1500 |
| 2000+ | $0.1901 | $ 380.2000 |
| 4000+ | $0.1804 | $ 721.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,JFETs | |
| Fiche Technique | onsemi J175-D26Z | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Dissipation totale du dispositif (Pd) | 350mW | |
| Courant d'égouts (Idss-Vds,Vgs-0) | 7mA@15V | |
| FET Type | P-channel | |
| Source de la vidange statique sur la résistance (RDS(on)) | 125Ω | |
| Source de la tension de décomposition (V(BR)GSS) | 30V | |
| Source de la tension de coupure (VGS(off)-ID) | 3V@10nA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3398 | $ 1.6990 |
| 50+ | $0.2719 | $ 13.5950 |
| 150+ | $0.2427 | $ 36.4050 |
| 500+ | $0.2063 | $ 103.1500 |
| 2000+ | $0.1901 | $ 380.2000 |
| 4000+ | $0.1804 | $ 721.6000 |
