| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBF4117 |
| Référence EBEE | E8184057 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 225mW 30uA@10V N-channel 40V SOT-23 JFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2479 | $ 1.2395 |
| 50+ | $0.1981 | $ 9.9050 |
| 150+ | $0.1733 | $ 25.9950 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 3000+ | $0.1397 | $ 419.1000 |
| 6000+ | $0.1323 | $ 793.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,JFETs | |
| Fiche Technique | onsemi MMBF4117 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3pF@10V | |
| Dissipation totale du dispositif (Pd) | 225mW | |
| Courant d'égouts (Idss-Vds,Vgs-0) | 30uA@10V | |
| FET Type | N-channel | |
| Source de la vidange statique sur la résistance (RDS(on)) | - | |
| Source de la tension de décomposition (V(BR)GSS) | 40V | |
| Source de la tension de coupure (VGS(off)-ID) | 600mV@1nA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2479 | $ 1.2395 |
| 50+ | $0.1981 | $ 9.9050 |
| 150+ | $0.1733 | $ 25.9950 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 3000+ | $0.1397 | $ 419.1000 |
| 6000+ | $0.1323 | $ 793.8000 |
