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onsemi NTS2101PT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTS2101PT1G |
| Référence EBEE | E8140583 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 8V 1.4A 117mΩ@1.8V,0.3A 290mW 450mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-323(SC-70) MOSFETs ROHS |
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92450 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0783 | $ 0.7830 |
| 100+ | $0.0643 | $ 6.4300 |
| 300+ | $0.0572 | $ 17.1600 |
| 3000+ | $0.0446 | $ 133.8000 |
| 6000+ | $0.0403 | $ 241.8000 |
| 9000+ | $0.0382 | $ 343.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi NTS2101PT1G | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 117mΩ@1.8V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 82pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 330mW | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 640pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.4nC@5V |
Guide d’achat
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| 10+ | $0.0783 | $ 0.7830 |
| 100+ | $0.0643 | $ 6.4300 |
| 300+ | $0.0572 | $ 17.1600 |
| 3000+ | $0.0446 | $ 133.8000 |
| 6000+ | $0.0403 | $ 241.8000 |
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