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onsemi NTR1P02LT3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTR1P02LT3G |
| Référence EBEE | E8896854 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 1.3A 220mΩ@750mA,4.5V 400mW 1.25V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1123 | $ 0.5615 |
| 50+ | $0.0848 | $ 4.2400 |
| 150+ | $0.0710 | $ 10.6500 |
| 500+ | $0.0607 | $ 30.3500 |
| 2500+ | $0.0509 | $ 127.2500 |
| 5000+ | $0.0468 | $ 234.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi NTR1P02LT3G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 220mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.25V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 225pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.5nC@4V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1123 | $ 0.5615 |
| 50+ | $0.0848 | $ 4.2400 |
| 150+ | $0.0710 | $ 10.6500 |
| 500+ | $0.0607 | $ 30.3500 |
| 2500+ | $0.0509 | $ 127.2500 |
| 5000+ | $0.0468 | $ 234.0000 |
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