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onsemi HGTP5N120BND
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HGTP5N120BND |
| Référence EBEE | E8898683 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 167W 21A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-220AB-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| 10+ | $2.1074 | $ 21.0740 |
| 50+ | $1.5647 | $ 78.2350 |
| 100+ | $1.3452 | $ 134.5200 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi HGTP5N120BND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@45uA | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Td(off) | 160ns | |
| Td(on) | 22ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 65ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 450uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 600uJ |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4491 | $ 2.4491 |
| 10+ | $2.1074 | $ 21.0740 |
| 50+ | $1.5647 | $ 78.2350 |
| 100+ | $1.3452 | $ 134.5200 |
| 500+ | $1.2462 | $ 623.1000 |
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