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onsemi HGTG11N120CND
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HGTG11N120CND |
| Référence EBEE | E811755 |
| Boîtier | TO-247AC-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 298W 43A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0366 | $ 4.0366 |
| 10+ | $3.5033 | $ 35.0330 |
| 30+ | $3.1853 | $ 95.5590 |
| 90+ | $2.8640 | $ 257.7600 |
| 450+ | $2.7162 | $ 1222.2900 |
| 900+ | $2.6504 | $ 2385.3600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi HGTG11N120CND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@90uA | |
| Pd - Power Dissipation | 298W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@15V | |
| Td(off) | 240ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 70ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.3mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 950uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $3.1853 | $ 95.5590 |
| 90+ | $2.8640 | $ 257.7600 |
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