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onsemi FGL60N100BNTDTU
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FGL60N100BNTDTU |
| Référence EBEE | E8105610 |
| Boîtier | TO-264-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 180W 60A 1kV TO-264-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi FGL60N100BNTDTU | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@60mA | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 275nC@15V | |
| Td(off) | 630ns | |
| Td(on) | 140ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 200pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.2us | |
| Turn-On Energy (Eon) | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 6nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 260pF |
Guide d’achat
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| 1+ | $14.8162 | $ 14.8162 |
| 10+ | $12.4534 | $ 124.5340 |
| 25+ | $11.5073 | $ 287.6825 |
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