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onsemi FGHL50T65MQDT
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FGHL50T65MQDT |
| Référence EBEE | E85209101 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3LD IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $3.6173 | $ 36.1730 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi FGHL50T65MQDT | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3V@50mA | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 99nC@15V | |
| Td(off) | 90ns | |
| Td(on) | 19ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 11pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 79ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 290uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 470uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.335nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 105pF |
Guide d’achat
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| 10+ | $3.6173 | $ 36.1730 |
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