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onsemi FGH75T65UPD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FGH75T65UPD |
| Référence EBEE | E8605143 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 375W 150A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $4.8282 | $ 48.2820 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi FGH75T65UPD | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@75mA | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 385nC | |
| Td(off) | 166ns | |
| Td(on) | 32ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 100pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 85ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.85mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.665nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 225A | |
| Output Capacitance(Coes) | 205pF |
Guide d’achat
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| 10+ | $4.8282 | $ 48.2820 |
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