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onsemi FGH60N60SFDTU
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FGH60N60SFDTU |
| Référence EBEE | E810886 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 1+ | $10.3569 | $ 10.3569 |
| 10+ | $9.0380 | $ 90.3800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | onsemi FGH60N60SFDTU | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 378W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 198nC@15V | |
| Td(off) | 134ns | |
| Td(on) | 22ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 140pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 47ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 670uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.79mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.82nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 350pF |
Guide d’achat
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| 1+ | $10.3569 | $ 10.3569 |
| 10+ | $9.0380 | $ 90.3800 |
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