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onsemi FGA6560WDF


Fabricant
Référence Fabricant
FGA6560WDF
Référence EBEE
E8444007
Boîtier
TO-3PN
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-3PN IGBT Transistors / Modules ROHS
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378 En stock pour livraison rapide
378 disponible pour livraison immédiate
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$3.2109$ 3.2109
10+$2.7721$ 27.7210
30+$2.1819$ 65.4570
90+$1.9174$ 172.5660
510+$1.7951$ 915.5010
1200+$1.7400$ 2088.0000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules
Fiche Techniqueonsemi FGA6560WDF
RoHS
Operating Temperature-55℃~+175℃
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)4.1V@60mA
Pd - Power Dissipation306W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)84nC@15V
Td(off)71ns
Td(on)25.6ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)31pF
Reverse Recovery Time(trr)110ns
Switching Energy(Eoff)520uJ
Turn-On Energy (Eon)2.46mJ
Input Capacitance(Cies)2.419nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)120A
Output Capacitance(Coes)82pF

Guide d’achat

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