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onsemi FDV303N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDV303N |
| Référence EBEE | E880498 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25V 680mA 450mΩ@4.5V,500mA 350mW 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0525 | $ 0.5250 |
| 100+ | $0.0422 | $ 4.2200 |
| 300+ | $0.0371 | $ 11.1300 |
| 3000+ | $0.0333 | $ 99.9000 |
| 6000+ | $0.0302 | $ 181.2000 |
| 9000+ | $0.0286 | $ 257.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDV303N | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 450mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 680mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.0422 | $ 4.2200 |
| 300+ | $0.0371 | $ 11.1300 |
| 3000+ | $0.0333 | $ 99.9000 |
| 6000+ | $0.0302 | $ 181.2000 |
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