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onsemi FDS4435BZ
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDS4435BZ |
| Référence EBEE | E823931 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 8.8A 20mΩ@10V,8.8A 2.5W 2.1V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3374 | $ 1.6870 |
| 50+ | $0.2802 | $ 14.0100 |
| 150+ | $0.2556 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.2250 | $ 112.5000 |
| 2500+ | $0.2114 | $ 528.5000 |
| 5000+ | $0.2032 | $ 1016.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDS4435BZ | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 345pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.845nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 365pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3374 | $ 1.6870 |
| 50+ | $0.2802 | $ 14.0100 |
| 150+ | $0.2556 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.2250 | $ 112.5000 |
| 2500+ | $0.2114 | $ 528.5000 |
| 5000+ | $0.2032 | $ 1016.0000 |
