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onsemi FDP5800
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDP5800 |
| Référence EBEE | E8898594 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 80A 4.6mΩ@10V,80A 242W 1V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6623 | $ 6.6623 |
| 10+ | $5.7805 | $ 57.8050 |
| 30+ | $5.2427 | $ 157.2810 |
| 100+ | $4.7918 | $ 479.1800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDP5800 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 4.6mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 445pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 242W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.16nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
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