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onsemi FDMS10C4D2N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDMS10C4D2N |
| Référence EBEE | E8891044 |
| Boîtier | PQFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 17A 4.2mΩ@10V,44A 125W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8127 | $ 3.8127 |
| 200+ | $1.4755 | $ 295.1000 |
| 500+ | $1.4246 | $ 712.3000 |
| 1000+ | $1.3992 | $ 1399.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDMS10C4D2N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 17A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,44A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.5nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8127 | $ 3.8127 |
| 200+ | $1.4755 | $ 295.1000 |
| 500+ | $1.4246 | $ 712.3000 |
| 1000+ | $1.3992 | $ 1399.2000 |
