| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDMS0310AS |
| Référence EBEE | E8891040 |
| Boîtier | PQFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 4.3mΩ@10V,19A 3V@1mA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1290 | $ 1.1290 |
| 200+ | $0.4385 | $ 87.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.4154 | $ 415.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDMS0310AS | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 19A;22A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.3mΩ@10V,19A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.5W;41W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.28nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 37nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1290 | $ 1.1290 |
| 200+ | $0.4385 | $ 87.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.4154 | $ 415.4000 |
