| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDMC7672 |
| Référence EBEE | E8890946 |
| Boîtier | WDFN-8(3.3x3.3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 16.9A 3V@250uA 1 N-channel WDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2834 | $ 1.2834 |
| 200+ | $0.4970 | $ 99.4000 |
| 500+ | $0.4793 | $ 239.6500 |
| 1000+ | $0.4705 | $ 470.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi FDMC7672 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 16.9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.89nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 57nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2834 | $ 1.2834 |
| 200+ | $0.4970 | $ 99.4000 |
| 500+ | $0.4793 | $ 239.6500 |
| 1000+ | $0.4705 | $ 470.5000 |
