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onsemi BSS123LT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSS123LT1G |
| Référence EBEE | E878755 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 170mA 225mW 6Ω@10V,100mA [email protected] 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0422 | $ 0.8440 |
| 200+ | $0.0337 | $ 6.7400 |
| 600+ | $0.0289 | $ 17.3400 |
| 3000+ | $0.0242 | $ 72.6000 |
| 9000+ | $0.0217 | $ 195.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi BSS123LT1G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 6Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 170mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 20pF |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0337 | $ 6.7400 |
| 600+ | $0.0289 | $ 17.3400 |
| 3000+ | $0.0242 | $ 72.6000 |
| 9000+ | $0.0217 | $ 195.3000 |
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