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onsemi 2N7002ET1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002ET1G |
| Référence EBEE | E871533 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 310mA 300mW 3Ω@4.5V,50mA 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0305 | $ 0.6100 |
| 200+ | $0.0251 | $ 5.0200 |
| 600+ | $0.0221 | $ 13.2600 |
| 3000+ | $0.0193 | $ 57.9000 |
| 9000+ | $0.0178 | $ 160.2000 |
| 21000+ | $0.0169 | $ 354.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | onsemi 2N7002ET1G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 3Ω@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 310mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 810pC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0251 | $ 5.0200 |
| 600+ | $0.0221 | $ 13.2600 |
| 3000+ | $0.0193 | $ 57.9000 |
| 9000+ | $0.0178 | $ 160.2000 |
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