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NXP Semicon PMZB420UN,315


Fabricant
Référence Fabricant
PMZB420UN,315
Référence EBEE
E87327600
Boîtier
DFN1006B-3
Numéro Client
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
30V 490mΩ 360mW 950mV@250uA 1 N-channel DFN1006B-3 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.3044$ 0.3044
200+$0.1216$ 24.3200
500+$0.1174$ 58.7000
1000+$0.1155$ 115.5000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-channel
Configuration-
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)-
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)490mΩ
Dissipation de puissance (Pd)360mW
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)950mV@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)4.8pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)65pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)[email protected]

Guide d’achat

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