| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PK6B2BA |
| Référence EBEE | E8532981 |
| Boîtier | DFN-8-EP(6.1x5.2) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 52A 6mΩ@4.5V,13A 12W 1.3V@250uA 1 N-channel DFN-8-EP(6.1x5.2) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2142 | $ 0.2142 |
| 10+ | $0.1702 | $ 1.7020 |
| 30+ | $0.1513 | $ 4.5390 |
| 100+ | $0.1278 | $ 12.7800 |
| 500+ | $0.1173 | $ 58.6500 |
| 1000+ | $0.1111 | $ 111.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon PK6B2BA | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 52A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6mΩ@4.5V,13A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 12W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 117pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 979pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2142 | $ 0.2142 |
| 10+ | $0.1702 | $ 1.7020 |
| 30+ | $0.1513 | $ 4.5390 |
| 100+ | $0.1278 | $ 12.7800 |
| 500+ | $0.1173 | $ 58.6500 |
| 1000+ | $0.1111 | $ 111.1000 |
