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NIKO Semicon PE642DT
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PE642DT |
| Référence EBEE | E8532974 |
| Boîtier | DFN-8-EP(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 34A 9mΩ@10V,10A 20W 2.3V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon PE642DT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 34A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 9mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 20W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 139pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 782pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 9.6nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
