Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

NIKO Semicon PE5E4BA


Fabricant
Référence Fabricant
PE5E4BA
Référence EBEE
E8532972
Boîtier
DFN-8(3x3)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
30V 31A 9.5mΩ@10V,10A 7W 2.3V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.1957$ 0.9785
50+$0.1578$ 7.8900
150+$0.1416$ 21.2400
500+$0.1213$ 60.6500
2500+$0.1012$ 253.0000
5000+$0.0958$ 479.0000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueNIKO Semicon PE5E4BA
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)31A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)9.5mΩ@10V,10A
Dissipation de puissance (Pd)7W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)90pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)530pF
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)[email protected]

Guide d’achat

Développer