| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PE507BA |
| Référence EBEE | E8532971 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 42A 14.5mΩ@4.5V,9A 3.1W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2752 | $ 0.2752 |
| 10+ | $0.2216 | $ 2.2160 |
| 30+ | $0.1986 | $ 5.9580 |
| 100+ | $0.1699 | $ 16.9900 |
| 500+ | $0.1571 | $ 78.5500 |
| 1000+ | $0.1355 | $ 135.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon PE507BA | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 42A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 14.5mΩ@4.5V,9A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.1W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 327pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.1nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 49.1nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2752 | $ 0.2752 |
| 10+ | $0.2216 | $ 2.2160 |
| 30+ | $0.1986 | $ 5.9580 |
| 100+ | $0.1699 | $ 16.9900 |
| 500+ | $0.1571 | $ 78.5500 |
| 1000+ | $0.1355 | $ 135.5000 |
