| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PA910BD |
| Référence EBEE | E8532968 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 8.1A 190mΩ@10V,3A 15W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon PA910BD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8.1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 190mΩ@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 15W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 306pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8.6nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1760 | $ 0.1760 |
| 10+ | $0.1402 | $ 1.4020 |
| 30+ | $0.1249 | $ 3.7470 |
| 100+ | $0.1057 | $ 10.5700 |
| 500+ | $0.0972 | $ 48.6000 |
| 1000+ | $0.0921 | $ 92.1000 |
