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NIKO Semicon PA910BD


Fabricant
Référence Fabricant
PA910BD
Référence EBEE
E8532968
Boîtier
TO-252-2
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
100V 8.1A 190mΩ@10V,3A 15W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.1760$ 0.1760
10+$0.1402$ 1.4020
30+$0.1249$ 3.7470
100+$0.1057$ 10.5700
500+$0.0972$ 48.6000
1000+$0.0921$ 92.1000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueNIKO Semicon PA910BD
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)8.1A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)190mΩ@10V,3A
Dissipation de puissance (Pd)15W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)21pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)306pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)8.6nC@10V

Guide d’achat

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