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NIKO Semicon PA410BD


Fabricant
Référence Fabricant
PA410BD
Référence EBEE
E8532967
Boîtier
TO-252-2
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100V 10A 140mΩ@10V,5A 35W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
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Qté.Prix unitairePrix total
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50+$0.2379$ 11.8950
150+$0.2162$ 32.4300
500+$0.1891$ 94.5500
2500+$0.1555$ 388.7500
5000+$0.1481$ 740.5000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueNIKO Semicon PA410BD
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)10A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)140mΩ@10V,5A
Dissipation de puissance (Pd)35W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)22pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)330pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)8.6nC@10V

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