| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PA410BD |
| Référence EBEE | E8532967 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 10A 140mΩ@10V,5A 35W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2888 | $ 1.4440 |
| 50+ | $0.2379 | $ 11.8950 |
| 150+ | $0.2162 | $ 32.4300 |
| 500+ | $0.1891 | $ 94.5500 |
| 2500+ | $0.1555 | $ 388.7500 |
| 5000+ | $0.1481 | $ 740.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon PA410BD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 140mΩ@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 22pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 330pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8.6nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2888 | $ 1.4440 |
| 50+ | $0.2379 | $ 11.8950 |
| 150+ | $0.2162 | $ 32.4300 |
| 500+ | $0.1891 | $ 94.5500 |
| 2500+ | $0.1555 | $ 388.7500 |
| 5000+ | $0.1481 | $ 740.5000 |
