| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P2610BD |
| Référence EBEE | E8440044 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 36A 78W 26.8mΩ@10V,10A 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4862 | $ 0.4862 |
| 10+ | $0.3908 | $ 3.9080 |
| 30+ | $0.3501 | $ 10.5030 |
| 100+ | $0.2988 | $ 29.8800 |
| 500+ | $0.2563 | $ 128.1500 |
| 1000+ | $0.2422 | $ 242.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NIKO Semicon P2610BD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 36A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26.8mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 78W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 88pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1918pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 41.5nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4862 | $ 0.4862 |
| 10+ | $0.3908 | $ 3.9080 |
| 30+ | $0.3501 | $ 10.5030 |
| 100+ | $0.2988 | $ 29.8800 |
| 500+ | $0.2563 | $ 128.1500 |
| 1000+ | $0.2422 | $ 242.2000 |
