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NIKO Semicon P2610BD


Fabricant
Référence Fabricant
P2610BD
Référence EBEE
E8440044
Boîtier
TO-252-2
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100V 36A 78W 26.8mΩ@10V,10A 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
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500+$0.2563$ 128.1500
1000+$0.2422$ 242.2000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueNIKO Semicon P2610BD
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)36A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)26.8mΩ@10V,10A
Dissipation de puissance (Pd)78W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)88pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1918pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)41.5nC@10V

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