| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP82N055NUG-S18-AY |
| Référence EBEE | E83291057 |
| Boîtier | TO-262 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 82A 6mΩ@10V,41A 4V@250uA 1 N-channel TO-262 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3886 | $ 2.3886 |
| 200+ | $0.9245 | $ 184.9000 |
| 500+ | $0.8916 | $ 445.8000 |
| 1000+ | $0.8771 | $ 877.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NEC NP82N055NUG-S18-AY | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 82A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6mΩ@10V,41A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.8W;143W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 9.6nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 160nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3886 | $ 2.3886 |
| 200+ | $0.9245 | $ 184.9000 |
| 500+ | $0.8916 | $ 445.8000 |
| 1000+ | $0.8771 | $ 877.1000 |
