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NEC NP80N04NDG-S18-AY


Fabricant
Référence Fabricant
NP80N04NDG-S18-AY
Référence EBEE
E83281513
Boîtier
TO-262
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
40V 80A 4.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-262 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.2318$ 2.2318
200+$0.8643$ 172.8600
500+$0.8333$ 416.6500
1000+$0.8187$ 818.7000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueNEC NP80N04NDG-S18-AY
RoHS
Température de fonctionnement-
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)40V
Courant de drainage continu (Id)80A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)4.8mΩ@10V,40A
Dissipation de puissance (Pd)1.8W;115W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.5V@250uA
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)6.9nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)135nC@10V

Guide d’achat

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