| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP80N04NDG-S18-AY |
| Référence EBEE | E83281513 |
| Boîtier | TO-262 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 80A 4.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-262 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2318 | $ 2.2318 |
| 200+ | $0.8643 | $ 172.8600 |
| 500+ | $0.8333 | $ 416.6500 |
| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | NEC NP80N04NDG-S18-AY | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.8W;115W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 6.9nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 135nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2318 | $ 2.2318 |
| 200+ | $0.8643 | $ 172.8600 |
| 500+ | $0.8333 | $ 416.6500 |
| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
