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MSKSEMI SI2302CDS-T1-GE3-MS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2302CDS-T1-GE3-MS |
| Référence EBEE | E85343292 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 40mΩ@4.5V,3A 1.56W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0225 | $ 0.4500 |
| 200+ | $0.0176 | $ 3.5200 |
| 600+ | $0.0148 | $ 8.8800 |
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| 9000+ | $0.0117 | $ 105.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI SI2302CDS-T1-GE3-MS | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 40mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 32pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 600+ | $0.0148 | $ 8.8800 |
| 3000+ | $0.0131 | $ 39.3000 |
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