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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MS50N06 |
| Référence EBEE | E82902884 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 11.5mΩ@10V,20A 1.25W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1130 | $ 0.5650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0800 | $ 12.0000 |
| 500+ | $0.0718 | $ 35.9000 |
| 2500+ | $0.0628 | $ 157.0000 |
| 5000+ | $0.0596 | $ 298.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI MS50N06 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 13mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 85pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 28nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1130 | $ 0.5650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0800 | $ 12.0000 |
| 500+ | $0.0718 | $ 35.9000 |
| 2500+ | $0.0628 | $ 157.0000 |
| 5000+ | $0.0596 | $ 298.0000 |
