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MSKSEMI MS3134KDFN
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MS3134KDFN |
| Référence EBEE | E822365397 |
| Boîtier | DFN1006-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 20V 750mA 200mΩ@4.5V,500mA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0271 | $ 0.5420 |
| 200+ | $0.0212 | $ 4.2400 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 2000+ | $0.0158 | $ 31.6000 |
| 10000+ | $0.0140 | $ 140.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI MS3134KDFN | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 350mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+125℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 155mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 750mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 38.2pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 14.4pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0271 | $ 0.5420 |
| 200+ | $0.0212 | $ 4.2400 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 2000+ | $0.0158 | $ 31.6000 |
| 10000+ | $0.0140 | $ 140.0000 |
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