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MSKSEMI FDV303N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FDV303N |
| Référence EBEE | E85343310 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 2A 1W 200mΩ@4.5V,2A 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0309 | $ 0.6180 |
| 200+ | $0.0251 | $ 5.0200 |
| 600+ | $0.0220 | $ 13.2000 |
| 3000+ | $0.0201 | $ 60.3000 |
| 21000+ | $0.0176 | $ 369.6000 |
| 39000+ | $0.0173 | $ 674.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI FDV303N | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 200mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 695pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 45pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0309 | $ 0.6180 |
| 200+ | $0.0251 | $ 5.0200 |
| 600+ | $0.0220 | $ 13.2000 |
| 3000+ | $0.0201 | $ 60.3000 |
| 21000+ | $0.0176 | $ 369.6000 |
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