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MSKSEMI 5N10S-MS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 5N10S-MS |
| Référence EBEE | E819272808 |
| Boîtier | SOT-223 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 5A 1.2W 110mΩ@10V 1 N-channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 5+ | $0.0847 | $ 0.4235 |
| 50+ | $0.0670 | $ 3.3500 |
| 150+ | $0.0581 | $ 8.7150 |
| 500+ | $0.0515 | $ 25.7500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI 5N10S-MS | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.535nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26.2nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.0670 | $ 3.3500 |
| 150+ | $0.0581 | $ 8.7150 |
| 500+ | $0.0515 | $ 25.7500 |
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