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MSKSEMI 2N7002W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002W |
| Référence EBEE | E85174639 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 200mA 1.6Ω@10V 156mW 3V 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0219 | $ 0.4380 |
| 200+ | $0.0174 | $ 3.4800 |
| 600+ | $0.0149 | $ 8.9400 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MSKSEMI 2N7002W | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.6Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 156mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 25pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 20+ | $0.0219 | $ 0.4380 |
| 200+ | $0.0174 | $ 3.4800 |
| 600+ | $0.0149 | $ 8.9400 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 9000+ | $0.0109 | $ 98.1000 |
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