| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF840 |
| Référence EBEE | E83280796 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 8A 125W 850mΩ@10V,4.8A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
