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MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G


Fabricant
Référence Fabricant
MEM4N60A3G
Référence EBEE
E8558567
Boîtier
TO-220F-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
600V 4A 2.3Ω@10V,2A 33W 2.8V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.4262$ 0.4262
10+$0.3466$ 3.4660
50+$0.2936$ 14.6800
100+$0.2512$ 25.1200
500+$0.2335$ 116.7500
1000+$0.2210$ 221.0000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueMICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)600V
Courant de drainage continu (Id)4A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)2.3Ω@10V,2A
Dissipation de puissance (Pd)33W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.8V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)19.7pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)676pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)-

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