| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MEM4N60A3G |
| Référence EBEE | E8558567 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 600V 4A 2.3Ω@10V,2A 33W 2.8V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4262 | $ 0.4262 |
| 10+ | $0.3466 | $ 3.4660 |
| 50+ | $0.2936 | $ 14.6800 |
| 100+ | $0.2512 | $ 25.1200 |
| 500+ | $0.2335 | $ 116.7500 |
| 1000+ | $0.2210 | $ 221.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM4N60A3G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.3Ω@10V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 33W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.8V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 19.7pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 676pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4262 | $ 0.4262 |
| 10+ | $0.3466 | $ 3.4660 |
| 50+ | $0.2936 | $ 14.6800 |
| 100+ | $0.2512 | $ 25.1200 |
| 500+ | $0.2335 | $ 116.7500 |
| 1000+ | $0.2210 | $ 221.0000 |
