| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MEM2302XG-N |
| Référence EBEE | E8489597 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 35mΩ@4.5V,3A 800mW 750mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0429 | $ 0.4290 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0309 | $ 9.2700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0247 | $ 148.2000 |
| 9000+ | $0.0235 | $ 211.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302XG-N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 750mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 23pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 240pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0429 | $ 0.4290 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0309 | $ 9.2700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0247 | $ 148.2000 |
| 9000+ | $0.0235 | $ 211.5000 |
