| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MEM2302M3G |
| Référence EBEE | E870367 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 50mΩ@4.5V,3A 0.46W 0.51V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302M3G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 0.46W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 0.51V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 300pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 4nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0478 | $ 0.4780 |
| 100+ | $0.0389 | $ 3.8900 |
| 300+ | $0.0344 | $ 10.3200 |
| 3000+ | $0.0304 | $ 91.2000 |
| 6000+ | $0.0277 | $ 166.2000 |
| 9000+ | $0.0263 | $ 236.7000 |
