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MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM12N65A3G


Fabricant
Référence Fabricant
MEM12N65A3G
Référence EBEE
E82927392
Boîtier
TO-220F-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
650V 12A 51W 0.64Ω@10V,3.5A 2V@250uA TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueMICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM12N65A3G
RoHS
Température de fonctionnement-40℃~+150℃
Tension de source de égout (Vdss)650V
Courant de drainage continu (Id)12A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)0.64Ω@10V,3.5A
Dissipation de puissance (Pd)51W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)4.5pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1476pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)24.15nC@10V

Guide d’achat

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