| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MEM12N65A3G |
| Référence EBEE | E82927392 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 12A 51W 0.64Ω@10V,3.5A 2V@250uA TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8687 | $ 0.8687 |
| 10+ | $0.7243 | $ 7.2430 |
| 50+ | $0.6521 | $ 32.6050 |
| 100+ | $0.5798 | $ 57.9800 |
| 500+ | $0.4751 | $ 237.5500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM12N65A3G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.64Ω@10V,3.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 51W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.5pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1476pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 24.15nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8687 | $ 0.8687 |
| 10+ | $0.7243 | $ 7.2430 |
| 50+ | $0.6521 | $ 32.6050 |
| 100+ | $0.5798 | $ 57.9800 |
| 500+ | $0.4751 | $ 237.5500 |
| 1000+ | $0.4533 | $ 453.3000 |
